বিদেশী মিডিয়ার রিপোর্ট অনুসারে, উহান বিশ্ববিদ্যালয়ের অধ্যাপক ঝো শেনজুনের নেতৃত্বে একটি গবেষণা দল একটি নীলকান্তমণির উপর একটি উচ্চ-দক্ষ GN-ভিত্তিক সবুজ LED তৈরি করেছে৷ গবেষণা দল একটি হাইব্রিড নিউক্লিয়েশন লেয়ার (হাইব্রিড নিউক্লিয়েশন লেয়ার) ব্যবহার করার প্রস্তাব করেছে যা স্পুটারড AIN (Sputtered AlN) এবং মধ্য-তাপমাত্রার GaN ডিভাইসের সমন্বয়ে গঠিত GaN-ভিত্তিক সবুজ LED-এর কোয়ান্টাম দক্ষতা উন্নত করতে।
বর্তমানে, সম্পূর্ণ দৃশ্যমান পরিসরে উচ্চ-দক্ষতা III-নাইট্রাইড বিকিরণকারীর বিকাশ অত্যন্ত আকর্ষণীয়, এবং একাধিক রঙের III-নাইট্রাইড নির্গমনকারীর ফিউশন দক্ষ এবং সুনির্দিষ্ট হাইব্রিড বর্ণালী ব্যবস্থাপনাকে সক্ষম করে , যার ফলে উচ্চ-রেজোলিউশনের প্রদর্শন এবং বিভিন্ন স্মার্ট লাইটিং অ্যাপ্লিকেশন, কিন্তু বর্তমানে প্রধান বাধা হল সবুজ থেকে ট্যান বর্ণালী অঞ্চলে III-নাইট্রাইড নির্গতকারীর দুর্বল কার্যকারিতা৷
এই লক্ষ্যে, উহান বিশ্ববিদ্যালয়ের গবেষকরা নীলকান্তমণির উপর উচ্চ-দক্ষতা InGaN/GaN সবুজ এলইডি তৈরি করতে একটি নতুন হাইব্রিড নিউক্লিয়েশন স্তর ব্যবহার করেছেন। উত্পাদন প্রক্রিয়া চলাকালীন, মিশ্র নিউক্লিয়েশন স্তর এবং GaN পৃষ্ঠ একটি স্ট্যাকিং ফল্ট স্ট্রাকচার তৈরি করবে, যা মিসফিট স্ট্রেস ক্ষতিপূরণ অর্জনে সহায়তা করে।
প্রাথমিক তাপীয় অমিল স্ট্রেস শিথিলতা থেকে উপকৃত হয়ে সবুজ এলইডি-তে ডিসলোঅ্যাকশন ডেনসিটি এবং রেসিডুয়াল স্ট্রেস কমে যায়। ফলস্বরূপ, গবেষণা দল ব্যাপক উৎপাদনের সময় প্রায় 16 শতাংশ দক্ষতা উন্নত করেছে।
উহান ইউনিভার্সিটির গবেষণা দল বলেছে যে হাইব্রিড নিউক্লিয়েশন স্তরের প্রয়োগের সম্ভাবনা সবুজ থেকে হলুদ-বাদামী অঞ্চলে উচ্চ-দক্ষতা III-নাইট্রাইড নির্গতকারী উপলব্ধি করার জন্য খুবই আশাব্যঞ্জক।
